Термины, связанные с цементом. Искажения кристаллической

Главная --> Справочник терминов

Искажения кристаллической в зависимости от ее начальной ориентации. Это означает, что деформация может приводить как к перемешиванию двух компонентов, так и к их разделению. Действительно, если вначале подвергнуть жидкость определенной деформации сдвига в одном направлении, а затем изменить направление деформации на обратное, то равная по величине, но обратная по направлению деформация вернет жидкость к ее исходному состоянию (диффузия отсутствует).

се перестройки в целом остается той же (начальной), поэтому после снятия напряжения система должна иметь исходную структуру и физические свойства. В случае механизма Ребиндера структура изменяется и для ее возвращения к исходному состоянию после снятия нагрузки требуется время тиксотропного восстановления ?г.в- Сразу же после снятия напряжения структура будет иной и лишь постепенно будет приближаться к исходной. С точки зрения явления тиксотропии механизм Эйринга относится к системам, у которых ;?т.в = 0. В другом крайнем случае, когда это время очень велико, мы имеем дело с материалами, которые после разрушения структуры не способны ее восстановить.

Схемы двух возможных вариантов заправки нитей на намоточных машинах приведены на рис. 7.22. Бездисковая схема намоточной машины имеет определенные преимущества. Нить, наматываемая на шпулю, при перемещении нитераскладчика растягивается по отношению к исходному состоянию на величину, равную 100- (—=- — 1)%, которая определяется углом0

Это, несомненно, означает, что одна половина молекул А, которые за данное время превратились в промежуточное соединение, снова вернется к исходному состоянию, и только вторая половина продолжит путь к образованию продуктов реакции. Но если постепенно увеличивать стандартный потенциал переходного состояния, множитель 2 в знаменателе должен исчезнуть не позже, чем в тот момент, когда стандартный потенциал промежуточного соединения вырастет до уровня стандартного потенциала переходного состояния. Дальше уже не будет иметься промежуточного соединения и станет справедливым соотношение

Деформируя высокоэластический полимер, мы тем самым меняем степень изогнутости его макромолекул, переводим их из более .вероятного состояния в менее вероятное. Через некоторое время после прекращения действия деформирующей нагрузки полимерные цепи самопроизвольйЪ под влиянием теплового движения возвращаются к исходному состоянию, образец принимает первоначальные размеры Благодаря свойству макромолекул скручиваться, изгибаться появляется сила, противодействующая деформации полимера, возникает его упругость

преодолевая при этом сопротивление соседних молекул и энергетические барьеры внутреннего вращения (rja в рассмотренной на рис. 104 модели). Это выпрямление (свертывание) в зависимости от величины сопротивления требует того или иного промежутка времени, что находит свое выражение во времени запаздывания. Обратимость процесса объясняется тем, что после снятия нагрузки выпрямленные или свернутые макромолекулы возвращаются к исходному состоянию с той или иной скоростью.

У истинных растворов всякое произвольно взятое состояние полностью определяется температурой, давлением и составом раствора При этом безразлично, каким образом было достигнуто такое состояние путем ли разбавления, концентрирования, охлаждения или нагревания Увеличивая концентрацию раствора и снова разбавляя его, нагревая и снова охлаждая и т д , мы опять возвращаемся к исходному состоянию раствора. Другими словами, все процессы в истинных растворах протекают совершенно обра-тймо"х что является решающим признаком истинного характера раствора. v

Деформируя высокоэластический полимер, мы тем самым меняем степень изогнутости его макромолекул, переводим их из более .вероятного состояния в менее вероятное. Через некоторое время после прекращения действия деформирующей нагрузки полимерные цепи самопроизвольйЪ под влиянием теплового движения возвращаются к исходному состоянию, образец принимает первоначальные размеры Благодаря свойству макромолекул скручиваться, изгибаться появляется сила, противодействующая деформации полимера, возникает его упругость

преодолевая при этом сопротивление соседних молекул и энергетические барьеры внутреннего вращения (t)2 в рассмотренной на рис. 104 модели). Это выпрямление (свертывание) в зависимости от величины сопротивления требует того или иного промежутка времени, что находит свое выражение во времени запаздывания. Обратимость процесса объясняется тем, что после снятия нагрузки выпрямленные или свернутые макромолекулы возвращаются к исходному состоянию с той или иной скоростью.

У истинных растворов всякое произвольно взятое состояние полностью определяется температурой, давлением и составом раствора При этом безразлично, каким образом было достигнуто такое состояние путем ли разбавления, концентрирования, охлаждения или нагревания Увеличивая концентрацию раствора и снова разбавляя его, нагревая и снова охлаждая и т д , мы опять возвращаемся к исходному состоянию раствора. Другими словами, все_процессы в истинных растворах протекают совершенно обра-тймо~х что является решающим признаком истинного характера раствора. v

Другим примером, иллюстрирующим явление «памяти» полимера, является последовательная деформация образца сначала в одном направлении, а затем в противоположном. После снятия нагрузки образец сначала пройдет мимо состояния равновесия в соответствии с первым режимом нагружения и затем начнет деформироваться в противоположном направлении, лишь теперь приближаясь к равновесному (исходному) состоянию. Это объясняется тем, что полимер обладает широким набором времен релаксации: малые времена релаксации обусловливают начальное движение образца, а большие времена релаксации—его последующую деформацию.

Была также смонтирована другая система контроля по количеству бутана в головном продукте. Пробы отбирались с верха колонны, причем концентрация изобутана поддерживалась 0,5 ± 0,1 %, Возвращение системы к исходному состоянию было хорошее, но не столь быстрое и определенное, как в первом случае. Слабые колебания указывают на то, что было использовано малое количество флегмы.

неоднороден и часто изменяется сложным путем, указывая на высокий уровень внутренних напряжений и упругие искажения кристаллической решетки. Такой сложный контраст присутствует как в зернах, содержащих решеточные дислокации, так и в бездефектных зернах, свидетельствуя, что источниками внутренних напряжений являются границы зерен.

вует о формировании твердого раствора, а значительное уширение основного пика и отсутствие пиков более высокого порядка отражения указывает на сильные искажения кристаллической решетки твердого раствора. При этом следует иметь ввиду, что в обычном состоянии Си и Ag практически нерастворимы друг в друге при комнатной температуре. В то же время РСА указывает на распад твердого раствора на Си- и Ag-фазы при нагреве до температур слегка ниже 200° С [27].

Известно [112, 120], что использование картин Муара позволяет наиболее отчетливо выявлять небольшие искажения кристаллической решетки. Данный принцип основан на том факте, что небольшие изменения в трансляционной симметрии приводят к заметным изменениям в картинах Муара. Картины Муара часто наблюдаются в тех случаях, когда изображения кристаллических решеток двух соседних зерен накладываются друг на друга. Характерными чертами картин Муара при электронно-микроскопических исследованиях искажений кристаллической решетки являются искривления получаемых изображений кристаллографических плоскостей и часто изменение расстояния между ними. С другой стороны, наблюдаемые явления могут быть вызваны дифракционными эффектами.

Как известно, искажения кристаллической решетки вблизи дефектов кристаллического строения приводят к формированию областей сжатия и растяжения. В работе [121] подобные области наблюдались вблизи границ зерен, о чем свидетельствовали результаты измерения межплоскостных расстояний в кристаллической

рые изображения атомных плоскостей обрываются в точках, обозначенных буквами Т, что указывает на наличие здесь дислокаций. Аналогичные искажения кристаллической решетки вблизи

Общими для всех наноматериалов, полученных ИПД, являются высокие внутренние напряжения и искажения кристаллической решетки. Данные рентгеноструктурного анализа дают для исследованных материалов величину среднеквадратичных деформаций равную 10~3-10~4, хотя, согласно электронно-микроскопическим исследованиям, локальные упругие деформации, особенно у границ зерен на порядок и более выше. Тот факт, что уровень внутренних напряжений высок, хотя плотность решеточных дислокаций в теле зерен зачастую незначительна, подтверждает, что источниками напряжений являются неравновесные границы зерен.

Прямые наблюдения границ зерен, выполненные методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, дают доказательства их специфической дефектной структуры в наноструктурных материалах вследствие присутствия атомных ступенек и фасеток, а также зернограничных дислокаций. В свою очередь, высокие напряжения и искажения кристаллической решетки ведут к дилатациям решетки, проявляющимся в изменении межатомных расстояний, появлении значительных статических и динамических атомных смещений, которые экспериментально наблюдались в рентгеновских и мессбауэрографических исследованиях.

Рис. 2.21. Схематичное представление наноструктурного материала со средним размером зерен около 100 нм (треугольники разного размера и ориентации обозначают дисклинации различной мощности и знака), где вблизи неравновесных границ зерен формируются упруго-искаженные области (а); зернограничных дефектов и искажения кристаллической решетки в наноструктурном материале с размером зерен 10-20мкм (б)

Приведенные выше результаты экспериментальных исследований и модельные представления свидетельствуют о том, что основными структурными элементами наноматериалов, полученных ИПД, являются малый размер зерен и большая протяженность неравновесных границ зерен, содержащих внесенные зер-нограничные дефекты и упругие искажения кристаллической решетки. В данной главе эти представления использованы для анализа различных «аномалий» фундаментальных, т. е. обычно структурно-нечувствительных свойств, таких как упругие модули, температуры Кюри и Дебая, намагниченность насыщения, температуры фазовых превращений и т. д., которые, как было показано, заметно изменяются в наноструктурных материалах.

Уменьшение as и Тс нельзя связать только с размерным фактором, т. е. с малым размером зерен в структуре образцов. Как уже отмечалось ранее, размер зерен почти одинаков в состояниях после измельчения в шаровой мельнице и консолидации ИПД, однако их магнитные характеристики существенно отличаются. С другой стороны, для изучаемых образцов характерны значительные искажения кристаллической решетки, что удается наблюдать методом РСА [260] (см. также §2.1). Согласно оценкам [263], усредненное значение среднеквадратичных деформаций в образцах после шарового измельчения может достигать нескольких процентов. ИПД может приводить к еще более высоким значениям. В результате ситуация начинает напоминать ту, что имеет место вблизи ядра дислокации, а расположение атомов в теле зерен становится нестрого периодическим [12] (см. рис. 2.216).

Такая непериодичность кристаллической решетки аналогично случаю аморфного состояния должна приводить к резкому уменьшению величин as и TQ [264]. Известно [265], что наличие широкого спектра межатомных расстояний в кристаллической решетке приводит к сильному изменению в ней энергии обменного взаимодействия. Это является результатом того, что эта энергия особенно чувствительна к структуре. В результате уменьшаются спонтанная намагниченность во всем объеме ферромагнитной фазы и значение температуры Кюри. В то же время, отжиг образцов даже при низкой температуре (373 и 473 К) уменьшает искажения кристаллической решетки из-за возврата в структуре и приводит к частичному восстановлению магнитных свойств. При высоких температурах свойства восстанавливаются полностью благодаря началу р екристаллизации.

Использовании растворителей Использовании специальных Использован непосредственно Использовать непосредственно Использовать соединения Использовать уравнение Используя различные Используя соотношения Используя уравнение