|
|
|
Главная --> Справочник терминов Изображения структуры На рис. 65 изображена зависимость от давления пределов холоднопламенного воспламенения (по составу смеси) для эфиро-воздушных смесей при 20, 50, 100, 150 и200°С [59]. При первых четырех температурах холодное пламя возникало от источника искусственного зажигания (нагретой проволочки), при температуре же в 200° оно возникало самопроизвольно. Опыты проводились в закрытых стеклянных трубах (3,8x15,3 см при 200° и 4,5 X120 см при остальных температурах). Единообразный характер кривых рис. 65 приводит авторов к заключению об одинаковой природе холоднопламенного процесса вне зависимости от того, возникает ли он в результате искусственного поджигания ^200 -в относительно холодной среде или самопроизвольно в горячей среде. На рис. 184 изображена зависимость выхода гидроперекиси изопропила от времени контакта для смеси С3Н84- 02 при начальном давлении 50 мм рт. ст. и комнатной температуре. Как видно из рисунка, за прямолинейным участком кривой наступает замедление скорости образования перекиси, а при еще больших временах контакта скорость реакции остается неизменной. Авторы справедливо предполагают, что область насыщения не может быть связана с разложением перекиси, поскольку при временах контакта, отвечающих этой области, не удается обнаружить никаких продуктов, кроме самой перекиси. По мнению авторов, насыщение связано с уводом ртути (Hg + С3Н,ООН —>• HgO + C3H7OH) из зоны реакции и соответственным прекращением зарождения алкильных радикалов. Фотохимическое окисление пропана было изучено авторами и при более высоких температурах, вплоть до 300°. При этом было найдено, что увеличение температуры приводит к последовательному появлению в продуктах реакции, наряду с гидроперекисью изопропила, еще и ацетальдегида, формальдегида, ацетона и окиси углерода. На рис. 187 изображена зависимость выхода этих продуктов от темпе- Отсюда совершенно ясно, что с помощью тсрмомеханичсского метода исследования можно определить величину механического сегмента. Эта величина будет соответствовать той молекулярной массе, при которой появляется высокоэластическое состояние и превышение которой не может привести к увеличению температуры стеклования. На рис.21 изображена зависимость температуры стеклования полистирола от его молекулярной массы Мп. Эта зависимость подтверждает правильность сделанных выше рассуждений изображена зависимость водородопроницаемости-пленок На рис. 1.7 изображена зависимость восстанавливаемой деформации (коэффициента восстановления YB) от накопленной общей деформации уя при разных значениях относительного време- Струи вследствие энергетически невыгодного соотношения поверхности и объема термодинамически неустойчивы и стремятся принять форму капли или растечься по поверхности фильеры, чтобы уменьшить свободную поверхность. В том и в другом случае происходит нарушение равномерности струй или полный их обрыв [10]. На рис. 7.16 изображена зависимость поверхностной энергии цилиндра от отношения его длины к радиусу 1/R (кривая /). Здесь же показано изменение поверхностной энергии растекшейся по поверхности полусферической капли с равным объемом, у которой поверхностная энергия компенсирована адгезией к поверхности фильеры (кривая 2) и поверхностной энергии сферической капли (кривая 3). Можно видеть, что растекание вискозы по поверхности становится энергетически выгодным при отношении l/R = 2,25, тогда как распад на капли становится возможным при отношении l/R = 4,5. Поэтому в производственных условиях обрыв струй Плотность и рефракция. На рис. 2 изображена зависимость плотности водных растворов этиленимина от его содержания. Характерная точка излома на графике соответствует содержанию этиленимина, равному 54,4%. Плотность продукта взаимодействия этиленимина с водой (1 :2), отвечающего этой точке, равна 0,9462; она снижается на 0,00077 г/мл при повышении температуры на 1°С. В качестве примера можно привести температурные зависимости разрушающего напряжения, полученные для вулканизатов и поликарбоната [9, с. 475]. На рис. V. 1 изображена зависимость разрушающего напряжения поликарбоната от 1/Т, а на рис. V.2 и V.3 аналогичные зависимости, полученные соответственно для вулканизатов и полистирола. Во всех рассмотренных случаях температурные зависимости разрушающего напряжения спрямляются в координатах In 0р = / (1/Т). Характерна также зависимость разрушающего напряжения от скорости растяжения или функционально связанной с ней скоростью нагружрния. При построении диаграммы ак — Л необходимо иметь зависимость Ек (а). Задаваясь значениями а и строя касательные к диаграмме сжатия (рис. 5.18, а), находим соответствующие значения Ек. На рис. 5.18, б изображена зависимость Ек (а) для материалов без площадки текучести. По формулам .(5.102) и (5.104) находим приведенный модуль и строим зависимости /С (а) (см. рис. 5.18, б). Пользуясь формулами (5.97), (5.100) и (5.106), строим зависимость 0кр(Л). На рис. (5.18, и) .кривая / соответствует формуле (5.100), кривая 2 — (5.97), кривая 3 — (5.106). Характер и типы ковалентной связи. Гибридизация ор-биталей. Параметры молекул - длина, углы и прочность связей. Способы изображения структуры молекул Изомерия, конформации 2(. Характер и типы ковалентнои связи. Гибридизация орбита-лей. Параметры молекул - длина, углы и прочность связей. Способы изображения структуры молекул. Изомерия, кон-формации Характер и типы ковалентной связи. Гибридизация орбита-лей. Параметры молекул. Способы изображения структуры молекул. Изомерия, конформации 24 фенильная группа. Один из способов изображения структуры этого катиона дан ниже (53). Доказательством в пользу того, Существуют два способа изображения структуры ароматических соединений: в виде формулы с сопряженными двойными связями (разд. 3.6) или в виде цикла со вписанной окружностью, символизирующей делокализацию л-электронов. Так, структуру молекулы бензола можно изобразить с помощью любой из трех приведенных ниже равноценных формул: В основе компьютерной реализации метода атомных инкрементов лежат принципы модульности, развитого, дружественного Windows—интерфейса и согласованности с программами по КПОС. Первые два принципа хорошо известны и общеприняты, поэтому остановимся подробнее на третьем. Структура целевого соединения, являющаяся исходным объектом для применения КПОС, должна обеспечивать требуемые физико-химические свойства целевого соединения. Ввиду того, что поиск такой структуры является одной из задач в методе инкрементов, необходимо обеспечить согласованное описание структур в методе инкрементов и в КПОС. Основными в программах по КПОС являются таблица атомов и таблица связности, задающие набор атомов и типы связей в структуре соединения. При реализации метода инкрементов было признано целесообразным формировать такие таблицы для каждой обрабатываемой формулы повторяющегося звена. Особое внимание было обращено на решение проблемы взаимодействия пользователя с программой. Для изображения структуры звена полимера использовано планарное (двумерное) представление расположения атомов, соединенных определенными типами связей. При необходимости с помощью таблиц атомов и связности устанавливается соответствие с линейными формулами Висвессера или с формой записи но Моргану. Важным представляется вопрос об однозначной интерпретации изображаемой на дисплее структуры повторяющегося звена. Для этого в программе использован контроль наличия данных по атомам, группам атомов и связям в базе данных. Рис. 1.33. Светло- (а) и темнопольные (б) изображения структуры нанострук-турного композита Ni-Зоб. %SiO2, полученного консолидацией ИПД Рис. 1.37. Электронно-микроскопические изображения структуры Ni: a — на-ночастицы измельченного в шаровой мельнице порошка; б — частица порошка большого размера, внутри которой видны зерна нанометрического размера; в — наноструктура в образце, сконсолидированном ИПД кручением; г — дифракционная картина от образца, ['консолидированного ИПД кручением связей. Способы изображения структуры молекул. Способы изображения структуры молекул. Изомерия, кон- хотя и не точный способ изображения структуры, который до сих пор ис-  Изотермическим потенциалом Изотермой адсорбции Изотропных материалов Известные трудности Известных производных Известными соединениями Известным содержанием Известной абсолютной Известной плотности |
- |
Навигация