|
|
|
Главная --> Справочник терминов Направленным выделением Здесь суммирование проводится по повторяющимся индексам; Si — компоненты единичного вектора по направлениям главных осей, а со — образуемый им телесный угол. В данную модель входит лишь одна молекулярная упругая составляющая, направленная вдоль оси цепи. Любые 'взаимодействия путем сдвига или направленные перпендикулярно осям цепи не могут быть учтены. Поэтому следует только полагать, что эти взаимодействия слабые и ими можно пренебречь. Полимер оказывает сопротивление деформированию вследствие наличия межмолекулярного взаимодействия, а также вследствие изменения конформации макромолекул. Все силы, действующие при этом на элементарный объем, мысленно выделенный в полимере, могут быть сведены к системе сил так, как это показано на рис, 107, Если плоскость А движется в направлении, указанном стрелкой, относительно плоскости ?, то на гранях элементарной! кубика возникают касательные напряжения от, вызывающие егс скашивание, В полимерах, отличающихся высокоэластичностьтой при сдвиге кроме касательных возникают и нормальные па пряже; пия, направленные перпендикулярно граням элементарного кубика. Для осей координат применяются цифровые обозначения, сосюя-щие из двух подстрочных индексов, первый из этих индексов ука- Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца - монокристалл. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент оказываются по отношению к некоторым плоскостям кристалла в положении, при котором выполняется формула Вульфа - Брэгга, В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению пятна (рефлекса) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным оси вращения. Слоевая линия, проходящая через след от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой; расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. Период идентичности J в этом направлении определяется соотношением диполи в главной цепи, направленные перпендикулярно или под иным углом к оси цепи; Полимер оказывает сопротивление деформированию вследствие наличия межмолекулярного взаимодействия, а также вследствие изменения конформации макромолекул. Все силы, действующие при этом на элементарный объем, мысленно выделенный в полимере, могут быть сведены к системе сил так, как это показано i рис, 107. Если плоскость А движется в направлении, указ; стрелкой, относительно плоскости Б, то на гранях элементарно! кубика возникают касательные напряжения от, вызывающие егс скашивание. В полимерах, отличающихся высокоэластичностью при сдвиге кроме касательных возникают и нормальные напряж* пия, направленные перпендикулярно граням элементарного кубика.'! Для осей координат применяются цифровые обозначения, сосюя-1 щие из двух подстрочных индексов, первый из этих индексов ука- ^ Полимер оказывает сопротивление деформированию вследств} наличия межмолекулярного взаимодействия, а также вследстР! изменения конформации макромолекул. Все силы, действуют! при этом на элементарный объем, мысленно выделенный в по.и мере, могут быть сведены к системе сил так, как это показано i рис. 107. Если плоскость А движется в направлении, указанно стрелкой, относительно плоскости Б, то на гранях элементарно! кубика возникают касательные напряжения от, вызывающие ei скашивание. В полимерах, отличающихся высокоэластичносты при сдвиге кроме касательных возникают и нормальные напряж пия, направленные перпендикулярно граням элементарного кубнк Для осей координат применяются цифровые обозначения, сосю щие из двух подстрочных индексов, первый из этих индексов ук Силы и напряжения делятся на нормальные, направленные перпендикулярно к сечению образца, и тангенциальные, приложенные по касательной (рис 75) У полимеров, кроме того, существенное значение может иметь наличие неоднородностей, обусловленных образованием из макромолекул различных, более крупных структурных элементов. Если к тому же полимерные цепи достаточно гибки, сравнительно небольшие напряжения, преодолевающие слабые межмолекулярные силы и направленные перпендикулярно оси данного участка макромолекулы, смогут вызвать отрыв его от соседнего участка, что тоже приведет к возникновению трещины. Силы и напряжения делятся на нормальные, направленные перпендикулярно к сечению образца, и тангенциальные, приложенные по касательной (рис 75) У полимеров, кроме того, существенное значение может иметь наличие неоднородностей, обусловленных образованием из макромолекул различных, более крупных структурных элементов. Если к тому же полимерные цепи достаточно гибки, сравнительно небольшие напряжения, преодолевающие слабые межмолекулярные силы и направленные перпендикулярно оси данного участка макромолекулы, смогут вызвать отрыв его от соседнего участка, что тоже приведет к возникновению трещины. Наиболее широко для определения структуры используется метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца — монокристалл. Так как монокристаллы получены отнюдь не для всех полимеров, а размеры полученных монокристаллов слишком малы, то при исследовании полимеров используются ориентированные, максимально закристаллизованные полимерные пленки или волокна. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент (времени оказываются по отношению к некоторым кристаллографическим плоскостям в положении, при котором выполняется формула Вульфа — Брэгга. В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению рефлекса (пятна) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На цилиндрической фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным к оси вращения. Слоевая линия, проходящая через 'След от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой. Расположение остальных слоевых линий ясно из рис. ,12. Расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. Период идентичности / в этом направлении определяется формулой Коэффициент А при произведении компонент тензора деформации (при в «квадратичном члене») называется модулем поперечной упругости. Его физический смысл становится ясным, если рассмотреть простой сдвиг; тогда у°2 •'Ф- 0, а все остальные компоненты тензора {Y}0 равны нулю. Потенциал Рейнера (1.60) предсказывает, что в этом случае появятся не только касательные, но и «поперечные» нормальные напряжения, направленные перпендикулярно направлению сдвига: В последнее время в промышленности все большее распространение получают установки с эпюрацией бражки (брагоректификаци-онные установки косвенно-прямоточного действия), с боковым отводом двух сортов ректификованного спирта, с направленным выделением примесей в эпюрационной колонне и концентрированием головной фракции этилового спирта. Перечисленные брагоректифика-ционные установки по сравнению с установками косвенного действия способствуют повышению качества готового продукта, увеличению его выхода, снижению расхода пара на перегонку бражки и ректификацию спирта и росту производительности труда. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА БРАГОРЕКТИФИКАЦИОННОЙ УСТАНОВКИ С НАПРАВЛЕННЫМ ВЫДЕЛЕНИЕМ ПРИМЕСЕ В ЭПЮРАЦИОННОИ КОЛОННЕ Рис. 13. Технологическая схема брагоректификационной установки с направленным выделением с направленным выделением примесей новки с направленным выделением примесей в эпю- Технологические показатели и параметры работы брагоректификациоииой установки с направленным выделением примесей в эпюрациоииой колонне 149 Качественные показатели промежуточных продуктов ректификации спирта...150 В последнее время в промышленности все большее распространение получают установки с эпюрацией бражки (брагоректификаци-онные установки косвенно-прямоточного действия), с боковым отводом двух сортов ректификованного спирта, с направленным выделением примесей в эпюрационной колонне и концентрированием головной фракции этилового спирта. Перечисленные брагоректифика-ционные установки по сравнению с установками косвенного действия способствуют повышению качества готового продукта, увеличению его выхода, снижению расхода пара на перегонку бражки и ректификацию спирта и росту производительности труда. УСТАНОВКИ С НАПРАВЛЕННЫМ ВЫДЕЛЕНИЕМ ПРИМЕСЕЙ Рис. 13. Технологическая схема брагоректификационной установки с направленным выделением с направленным выделением примесей новки с направленным выделением примесей в эпю-  Названием уравнения Нейтральных продуктов Нейтральными соединениями Наблюдается аналогичная Нейтрализации образующейся Нейтрализуют карбонатом Нейтрализуют углекислым Неароматических соединений Небольших давлениях |
- |
Навигация