|
|
|
Главная --> Справочник терминов Постоянная характеризующая где k - постоянная Больцмана; h - постоянная Планка. где л - средняя длина свободного пробега молекул; 4 - постоянная Больцмана; d - диаметр поры; т - масса молекулы. Массу молекулы можно выразить через ее молекулярную массу; тогда получаем удобную для расчета формулу для кнудсеновсксй диффузии где k - постоянная Больцмана; h - постоянная Планка Здесь У. — постоянная передачи, которая указывает, сколько возбужденных комплексов действительно распалось, k — постоянная Больцмана; h — постоянная Планка; R — универсальная газовая постоянная; Т — абсолютная температура; «0 — высота потенциального барьера; As — разность значений энтропии основного и возбужденного состояний (величины и и s относятся к одной частице, a U и S — к их молю)1'. Предполагается, что в отсутствие внешних сил начальное и конечное равновесные состояния имеют одну и ту же потенциальную энергию. Тогда скорости потоков частиц через разделяющий потенциальный барьер в прямом и обратном направлениях Постоянная Планка Постоянная Больцмана где иа — энергия активации, ч„ — структурный коэффициент, k — постоянная Больцмана, Т — абсолютная температура. где Т — температура по шкале Кельвина, т0 — период тепловых колебаний атомов в твердом теле около положения равновесия (т0 ~ 10~12 — 10~13), k — постоянная Больцмана, Z70 — энергия активации, у — структурный коэффициент. постоянная Больцмана; Т — абсолютная- температура; р — электрический момент диполя. одного равновесного положения в другое, Т — абсолютная температура, k — постоянная Больцмана, то появление максимумов потерь можно прогнозировать. ростью Охлаждения. Тернбулл и Коэн * предложили в качестве критерия для оценки склонности того или иного вещества к стекло-образованию величину приведенной термодинамической температуры кристаллизации вк = kTK/h, где k — постоянная Больцмана; Тк — равновесная температура кристаллизации в градусах Кельвина; h — теплота испарения, отнесенная к молекуле или кинетической единице (характеризует прочность связей в веществе). Для вещества данного молекулярного типа приведенная температура кристаллизации вк тем меньше, чем больше склонность вещества к стеклообразованию. При этом приведенная температура стеклования 6С = kTc/h для всех веществ практически одинакова. -где k — постоянная Больцмана; N (h) — термодинамическая ве- где T(t) =—dRp(t)/dt — ядро уравнения, или функция скорости релаксации системы, RP(Q) постоянная, характеризующая упругие свойства системы. Параметры ядра Т (t) и упругие константы определяют, следуя описанной выше методике. где тх — масса образца в состоянии равновесия (насыщения); у — эмпирическая постоянная, характеризующая скорость набухания, 1/с; т — продолжительность экспозиции образца в среде, после которой проводят измерения, с. где В0 — постоянная, зависящая от температуры; b — постоянная, характеризующая только материал. Величина а° — постоянная, характеризующая чисто индукционное влияние замещенного фенила, о° связана с aj к 0^ следующими соотношениями: рс — постоянная, характеризующая чувствительность данной реакционной серии к влиянию полярного сопряжения с электронодонорным реакционным центром и с электрофильным реакционным центром; рл — постоянная для реакционной серии в случае жега-замещенных фенилов; а — постоянная Гаммета для замещенных фенилов (обычно для мета- и о° — постоянная, характеризующая чисто индукционное влияние замещенного фенила (Приложение П. 2); 0м и ап — постоянные Гаммета для мета- и /zapa-замещенных фенилов (Приложение II. 2); а* — индукционная постоянная Тафта, характеризующая эффективную где 0 — постоянная, характеризующая растворимость газа в полимере, или ко-эффициект сорбции. где { — силовая постоянная, характеризующая упругие силы, возннкаюиие при отклонении атомов от положения равновесия, т Ш]/т;/(;Л+т5) — пгн-веденная масса атомов, где х, а, т, А — те же величины, что и в предыдущих уравнениях; р —постоянная, характеризующая степень торможения процесса (коэффициент торможения) Н:. Приведенные ураншчшя хорошо согласуются с экспериментальными данными при разных давлениях и температурах до степени конверсии 60—70%. где АО и Лт - соответственно электропроводности предельно разрушенной и полностью восстановившейся структуры; / - время смешения, Ъ - постоянная, характеризующая скорость тиксотропного восстановления. Если уравнение переписать в виде  Получения изоиндолов Постепенно уменьшается Постепенно увеличивают Постоянные зависящие Получения полимеров Постоянная характеризующая Постоянной концентрации Постоянной температуры Постоянное количество |
- |
Навигация