Главная --> Справочник терминов


Параметров материала ее изменения; Тс линейно возрастает с увеличением молекулярной массы полимера. На ее значение также влияет изменение параметров кристаллической решетки полимера. С учетом всего этого можно считать справедливым соотношение вида ГС^2/3ГПЛ, которое целесообразно называть правилом Кауцмана— Бой-ера—Бимена (КББ).

3. Параметров кристаллической ячейки полимера?

по существу идентична фактору пористости Р = \ I рк -1 / ри , где рк - кажущаяся плотность; ри - истинная плотность. При этом рк представляет собой плотность тела при данной температуре, на которую влияют имеющиеся в нем поры. Лучше всего кажущуюся плотность измерять для тел правильной геометрической формы, т.к. не используя никаких растворителей, можно найти величину рк делением массы тела на его объем. Если измеряют кажущуюся плотность тел неправильной формы, можно использовать пикнометреческий или дилатометрический методы. Трудность здесь заключается в подборе жидкости, которая не смачивает поверхность данного тела и не проникает вглубь него. Истинная плотность ри - это плотность монолитной части материала, не содержащей пор. Наилучшим образом истинная плотность определяется для идеального кристалла, поскольку ее можно рассчитать на основании параметров кристаллической решетки. В случае аморфных и частично-кристаллических тел можно применять метод градиентных трубок, используя жидкости, хорошо проникающие в поры. Следует, однако, иметь в виду, что при создании градиента плотности в трубке используют смеси двух жидкостей, и каждая из них может обладать различной смачивающей и проникающей в поры способностью. Тогда картина искажается и определяемая плотность не будет истинной.

ного излучения связаны наблюдаемые изменения параметров кристаллической решетки и увеличение ее несовершенства.

Вычисленные методом наименьших квадратов с учетом весовой функции sin 20 sin 20 усредненные значения параметров кристаллической решетки для наноструктурной Си, полученной ИПД кручением с числом оборотов, равным 6, и крупнокристаллической Си оказались равными 3,6135±0,0003 А и 3,6148±0,0002 А соответственно [79-82]. Таким образом, величина параметра кристаллической решетки в наноструктурной Си, полученной ИПД, была примерно на 0,03 % меньше значения, соответствующего крупнокристаллической Си. Последнее в свою очередь очень близко к табличному значению 3,6150 А.

Процесс компьютерного моделирования проводился с использованием следующей модели УМЗ поликристалла. Поликристалл состоял из 361 зерна, каждое из которых было заданным образом ориентировано в пространстве. Каждое зерно имело форму прямоугольного параллелепипеда с одинаковой длиной ребер, варьировавшейся от 4 до 50 параметров кристаллической решетки. Ребра параллелепипеда совпадали с направлениями [100], [010] и [001] в кристаллической решетке. Тип кристаллической решетки — ГЦК. Параметр кристаллической решетки соответствовал табличному значению для чистой Си и равнялся 3,615 А. Длина волны рентгеновского излучения равнялась 1,54178 А и соответствовала CuKai излучению. Интенсивность рентгеновских лучей, рассеянных поликристаллом, находили как сумму интенсивностей, полученных в результате рассеяния рентгеновских лучей отдельными зернами. При этом учитывали ослабление интенсивности, связанное с тепловыми колебаниями атомов и частичной поляризацией рентгеновских лучей.

Вычисления в соответствии с уравнениями (2.37) и (2.38) показывают, что усредненные упругие смещения атомов из узлов идеальной кристаллической решетки очень велики вблизи границ зерен и медленно убывают в теле зерен (рис. 2.27), достигая для р1 = 1,0нм-1 значения 6,01% в первом атомном слое, 4,25% во втором слое и т. д. В центре зерна с размером, равным 20 параметрам кристаллической решетки, усредненные смещения атомов составляют 1,34% и для размера зерна 50 параметров кристаллической решетки — 0,85 %.

Количественная оценка показывает, что величина упругих микроискажений решетки, обусловленная дальнодействующими полями внесенных ЗГД в теле зерен при их плотности р = 1,0нм-1, очень велика и составляет, например, 2,55% при размере зерен равном 20 параметров кристаллической решетки. Увеличение размера зерен от 10 до 100 параметров кристаллической решетки приводит к уменьшению величины упругих микроискажений от 3,25 % до 1,37%, что при произвольном знаке направлений упругих смещений атомов в теле зерен в соответствии с уравнением

Следует отметить, что указанная плотность внесенных ЗГД весьма велика и, по-видимому, является предельно достижимой в границах зерен. При такой плотности расстояние между соседними внесенными зернограничными дислокациями в среднем должно составлять 1,0-нм, т. е. всего лишь несколько параметров кристаллической решетки. Уменьшение плотности внесен-

приводит к значениям 8,17 х 10 рад для размера зерен 10 и 0,82 х 10~2 рад — для 100 параметров кристаллической решетки. Анализ последнего уравнения показывает, что величина размерного уширения обратно пропорциональна размеру зерен.

мере и параметров кристаллической решетки

В гл. 2 (разд. 2.2) описано поведение неориентированного термопласта при одноосном деформировании. Было отмечено, что в зависимости от условий эксперимента и параметров материала ослабление последнего может проявляться на любой стадии процесса растяжения образца под нагрузкой:

где А и п — параметры материала, а А/С — интервал изменения коэффициента интенсивности приложенных напряжений. Эта формула полностью аналогична выражению (9.22) для скорости роста трещины при статическом нагружении. Маршал и др. [133], а также Радон и др. [219] заменили А/С разностью квадратов и кубов /С. Эндрюс и др. [215] использовали в своем анализе усталости ПЭ в качестве независимого параметра критическую удельную энергию разрушения Gc (вместо А/С). Такой подход несущественно отличается от предыдущего вследствие существования связи между К и G и благодаря форме выражения (9.41). В своих подробных сообщениях [3, 218] Херцберг и Мансон проанализировали различные теоретические способы определения скорости роста усталостной трещины, представили данные для ~20 материалов, полученные при различных температурах и частотах, и рассмотрели влияние условий внешнего нагружения и параметров материала.

Для неглубокой прямоугольной пресс-формы с температурой стенки Тш и полутолщиной h при постоянных значениях теплофи-зических параметров материала и при условии соответствия реак* ции полимеризации кинетическим уравнениям n-го порядка по* Лучим:

где ft — объем атома (ft = Ь3/\/2 для ГЦК кристаллов) и Г — безразмерная дилатация, зависящая от параметров материала и типа дислокации. В уравнении (2.26) RC и гс — внешний и внутренний радиусы цилиндра, окружающего дислокацию. В теории дислокаций [117] гс и 6 обычно рассматривается в качестве радиуса ядра дислокации, a RC — в качестве параметра экранирования Rs. В рассматриваемом случае RC и R/2.

деленных методически правильно и с минимальной погрешностью параметров материала. При этом речь, как правило, будет идти о твердых полимерных материалах (если только это не будет противоречить логике общно-стя изложения).

зучести в условиях do — const. Графически эти зависимости изображены на рис. III.1, а для следующих произвольно выбранных значений параметров материала: / = 0,5-Ю-9 Па-1; /i = 10-9 Па-1; т=0,5; 8=60 с;

териале. Между тем, расчет параметров исследуемого образца, основанный на применении этого метода, связан с определенными допущениями относительно соотношения между измеряемыми величинами и характеристиками образца. Это ограничивает применение метода свободнозатухающих колебаний для получения абсолютных значений параметров материала. Поэтому целесообразно рассмотреть основные теоретические положения, определяющие поведение вязкоупругого материала в условиях свободного затухания колебаний после задания некоторой начальной деформации.

Для образцов с сечением произвольной формы, испытываемых по методу свободнозатухающих колебаний, строгая теория расчета параметров материала была рассмотрена Р. Глаузом [3]. Он получил общие расчет-

вязкоупругих параметров материала между предельными значениями, которые могут принимать эти параметры. Так, в опытах по релаксации напряжения модуль релаксирует от Gu при очень малых временах до Gr при очень больших временах (рис. 5.17, б). При динамических испытаниях (рис. 5.17, в) модуль изменяется от Gr при низких частотах до Gu при очень высоких частотах (Gu — модуль до релаксации, 6> — после релаксации).

Основное значение диаграммы аь—ау состоит в том, что. она является ориентиром при оценке свойств модифицированных или вновь синтезированных полимеров. Вместе с высказанными выше соображениями о влиянии структурных параметров материала на хрупкую прочность и предел текучести эта диаграмма может дать направление систематическому поиску путей снижения хрупкости полимерных композиций.

Полученные формулы (1.76) и (1.78) позволяют установить физический смысл параметров-материала G*, /* и б. Величины G" и /" являются коэффициентами пропорциональности, определяющими интенсивность диссипации работы внешней силы при заданных параметрах процесса колебаний, когда амплитуды равны а0 и у о при частоте со. Очевидно, что!) возрастает с ростом угла 8. Поэтому величины G", I" и 8 определяют потери работы при гармонических колебаниях, что оправдывает их часто используемые названия: G" — модуль потерь, /" — податливость потерь, б — угол механических потерь.

До тех пор пока на концах разорванных макромолекулярных фрагментов находятся ингибиторы, нежелательные химические явления развиваться не могут. После расходования ингибиторов в полимере происходят быстрые химические изменения, которые ведут к его разрушению. Следовательно, химические процессы развиваются только после окончания индукционного периода, так что возможность использования полимера определяется индукционным периодом и зависит от всех параметров материала.




Промышленного получения Плотности необходимо Плотности реакционной Появилась необходимость Появилось сообщение Появляться кристаллы Появления устойчивого Появление максимума Побочного образования

-
Яндекс.Метрика