Главная --> Справочник терминов


Рассеяния электронов Задача. Рассчитать содержание фракции полигексаметиленадипамида молекулярной массы 9000 при степени завершенности реакции Хм = 0,9 и 0,99. Решение. Схема реакции синтеза этого полимера следующая: лН21Ч(СН2)6МН2 + лНООС(СН2)4СООН<^ 4* H[NH(CH2)6NHCO(CH2)4CO]nOH + 2(л - 1)Н2О; М0 = 226.

19. Рассчитать содержание связанной уксусной кислоты и азота в сополимере акрилонитрила и винилацетата, если сополимер содержит 72% (мае.) акрилонитрила. Привести химическую структуру этого сополимера.

20. Рассчитать содержание азота в модифицированном полиакрилонитриле, если 75% нитрильных групп гидролизовано до амидных.

22. Рассчитать содержание азота в модифицированном по-лиакрилонитриле, если 18% нитрильных групп гидролизовано до карбоксильных. Привести химическую структуру этого сополимера. Какими физико-химическими свойствами он будет обладать?

23. Рассчитать содержание хлора и азота в сополимере акри-лонитрила и винилиденхлорида, если сополимер содержит 35% винилиденхлорида.

24. Рассчитать содержание связанной уксусной кислоты в сополимере акрилонитрила и винилацетата, если сополимер содержит 96% (мае.) акрилонитрила. Привести химическую структуру этого сополимера.

26. Рассчитать содержание хлора и азота в сополимере ви-нилхлорида и винилацетата, если содержание винилхлорида в сополимере 50% (мол.).

30. Рассчитать содержание мономерных звеньев и азота в сополимере, если исходная смесь содержит 85% (мае.) стирола и 25% (мае.) винилпиридина. Привести химическую структуру этого сополимера.

31. Рассчитать содержание мономеров в исходной смеси, если сополимер содержит 36% (мае.) винилацетата и 64% (мае.) винилбромида. Привести химическую структуру этого сополимера.

45. Рассчитать содержание мономеров в исходной смеси, если сополимер винилацетата и винилбромида при степени превращения 4% содержит 54% связанной уксусной кислоты.

Задача. Рассчитать содержание карбоксильных групп и кислотное число, если при обработке навески 2,5486 г абсолютно сухой целлюлозы раствором ацетата кальция на титрование выделившейся уксусной кислоты пошло 18,4 см3 0,01 н. раствора NaOH c/= 1,0044.

2. Вследствие сильного рассеяния электронов воздухом спектрометр откачивается до остаточного давления 10~7 мм рт. ст. или

Ускоренные ионы, например Ga3+, Be2+, In3+, Sn2+ и др. [63, 64], при прохождении через вещество могут вызвать химические реакции подобно ускоренным электронам. Однако, поскольку рассеяние ионов (с энергией 1—3 МэВ) существенно меньше рассеяния электронов, существует возможность при помощи ионной литографии достигать высоких степеней разрешения [65]. Фокусированный пучок ионов можно сканировать подобно потоку электронов, что может быть использовано для непосредственного образования структур с высокой плотностью элементов в разных полимерных материалах, например в ПММА [63]. Разрешение определяется рассеянием ионов и возникающих вторичных электронов.

Для получения надежных статистических результатов при использовании метода Монте-Карло необходимо рассчитать траектории нескольких тысяч электронов, что требует большого машинного времени. По этой причине на практике для предсказания рассеяния электронов используют аналитические модели, в которых предполагается, что потеря энергии в результате рассеяния складывается из трех составляющих: рассеяния под малым углом (РМУ) из пучка в полимере, рассеяния под большим углом (РБУ) в подложке и обратного отражения (ОО) в полимере. Для определения РМУ в резисте используют две аналитические модели. Гринейх и Ван Дузер [10] построили свою модель на основе теории рассеяния Ленца, по которой угловое распределение рассеянных электронов определяется интегрированием уравнения Больцмана по у всему пространству. В упрощенном подходе используют

С целью уменьшения эффекта обратного рассеяния электронов и повышения разрешающей способности разработана теоретиче-

Полихлорметилстирол с Мда = 3-105, применяемый в качестве негативного резиста, позволяет достичь высокого разрешения из-за малого рассеяния электронов, а также равномерного распределения поглощенной энергии по глубине. Его термостойкость и стойкость к сухому травлению на уровне соответствующих характеристик позитивных новолачных фоторезистов AZ. Постэкспозиционное фотоотверждение резко уменьшает уход размеров рельефа вплоть до 300 °С. Свойства резиста сопоставимы со свойствами хлормети-лированного полистирола [136].

Несмотря на то что в электронной литографии для достижения субмикронного разрешения используются апертуры меньшие, чем в оптической литографии, и достигается большая глубина резкости, в результате рассеяния электронов наблюдается расширение линий. Обычно используемая фокусировка пучка электронов до сечения радиусом 50 нм может привести к экспонированию участков с линейными размерами порядка нескольких микрометров (эффект близости). Кроме того, имеет место и отрицательное влияние накопления заряда диэлектриком (например, SiO2). Поскольку рассеяние и отражение электронов возрастает с ростом заряда ядра атомов элементов, входящих в состав подложки, влияние на эти величины Si и Se более ярко выражено, чем влияние органических материалов, состоящих только из углерода, водорода и кислорода, что и достигается в планаризационном слое.

2. Вследствие сильного рассеяния электронов воздухом спектрометр откачивается до остаточного давления 10~7 мм рт. ст. или

Дальний координационный порядок, характерный для кристаллических образцов, можно изучать различными методами, например методом рассеяния электронов, упругих нейтронов или рентгеновских лучей. Основным условием применимости методов рассеяния для структурного анализа является использование излучения такой длины волны, которая не превышает размеров исследуемой структуры. Форма и интенсивность дифракционной картины дают информацию о кристаллической решетке и распределении молекул внутри элементарной ячейки. Интенсивность /(s), рассеиваемая периодической структурой, может быть представлена уравнением

Позднее Каргин и Лейпунская [24] получили электронограммы гидрат-целлюлозы с тремя диффузными кольцами. Произведенный теоретический расчет рассеяния электронов на молекулах целлюлозы * дал вычисленную

Эта работа показала, что вся интерференционная картина описывается как картина рассеяния электронов на целлобиозпых остатках. Таким образом, постоянно и строго соблюдающимися расстояниями являются лишь расстояния между атомами в молекуле, но не между цепями целлюлозы.

Ввиду несоответствия экспериментальных и теоретических данных для рассеяния электронов молекулами триацетатцеллюлозы была принята измененная модель этой молекулы, а именно было предположено, что плоскости глюкозных остатков повернуты друг к другу под углом 90°. На рис. 4 изображены кривые интенсивности молекулярного рассеяния от такой модели молекулы. Кривая а соответствует рассеянию от молекул целлюлозы (с углом поворота между глюкозными кольцами 90°), а б — рассеянию от молекул триацетатцеллюлозы. Сравнение экспериментальных и теоретических




Растительного материала Растворяющую способность Растворяют приблизительно Растворах нейтральных Растворах представляет Растворами хлористого Растворами карбонатов Растворам полимеров Растворения кристаллов

-
Яндекс.Метрика